化。在随后这些年，igbt的技术不断更新，1988年出现的是第一代，称为平面穿透型；1990年出现了第二代，为改进的平面穿透型；1992年为第三代，即沟槽型；1997年出现了第四代，称为非穿透型；2001年出现了电场截止型；2003年出现了沟槽型电场截止型……
半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新，是有其原因的，那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门，小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品，统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场，自然能够引得无数天下英雄竞折腰。
然而，要掌握igbt的制造技术，bt是一种工作原理非常复杂的器件，几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件，涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻，工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量，为此，igbt的制造工艺规则从5微米下降到了05微米，而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。
所有这些生产工艺，对于当年的中国来说，都是十分困难的，而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此，周林磊并不对秦海寄予太多的希望，在他看来，秦海能够解决超级电容、超导线圈、永磁材料等障碍，就已经是十分难能可贵了，再
第六百二十九章 IGBT是大市场(4/6)