代半导体材料：以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表。砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件，同时砷化镓高速器件也加速了光纤及移动通信新产业的发展。主要应用领域为光电子、微电子、微波功率器件等。
第三代半导体材料：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表。这种材料以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的，它具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”。
第一代和第二代的半导体材料已经应用了很长时间，互联网的兴起与一二两代半导体材料密切相关，相辅相成。
而这第三代半导体材料从实验室制备到大规模生产也不过是最近几年的事情。
这第四代半导体材料的研究也已经初现苗头，只是从理论到实用还是有不少的路要走。
自己能够超过去年就已经成立的第四代半导体材料研制中心吗？
第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表。
作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料Si更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了很大关注和研究。
特别是量子信息、人工智能等高新技术
第四十二章 定址、结束、半导体材料(2/5)