相对于单晶炉制备单晶硅来说，‘硅核心外延法’制备单晶硅有着不少的优点。
比如硅核心气相外延的法能提高硅材料的完美性、提高集成度、提高少子的寿命，减少储存单元的漏电流、提高电路的速度、改变电路的功率特性以及频率特性、解决cmos电路的锁定等等等等.....
哦，对了，最重要的还是单晶硅的纯度。
通过‘硅核心外延法’制备出来的单晶硅纯度能达到99.9999999%以上。
当韩元说出‘硅核心外延法’制备出来的单晶硅纯度时，紧张忐忑收看直播的岛国人员眼前一黑，人已然晕死过去。
这条消息，实在太可怕了。
每年损失掉数百亿米金的出口收入就算了，如果全世界都能制备单晶硅，那amsl对于他们单晶硅的依赖，将可以轻易的更换供货商。
这是他们pou腹都无法挽回的损失。
.......
‘硅核心外延法’制备单晶硅优点有，缺点自然也是有的。
硅核心外延法制备单晶硅时，一般采用硅烷热分解外延来处理。
但硅烷易燃易爆，所以硅烷外延的设备要求较高。
而且硅烷外延受硅烷纯度的影响较大，外延层杂质的分布也比较难控制。
而且使用硅核心外延法制备单晶硅时，反应室中的反应是很复杂的。
有很多必须考虑的因素，比如沉积参数的变化范围是很
第二百八十三章：又是损失惨重的某岛国(7/9)