和体相掺杂Ti的包覆-掺杂单晶三元材料。
首次在硫化物基ASSBs中提出了一种用于高压SCM正极材料的包覆-掺杂协同改性策略。
研究结果表明，具有热力学/电化学稳定性和电子绝缘性的均匀TNO包覆层可以避免硫化物SSEs的分解。同时，在SCM掺杂Ti形成强Ti-O键可以有效地稳定晶格氧，防止界面上含氧副产物的生成。包覆-掺杂可以实现SCM正极材料从表面到体相的协同改性，从根本上稳定了界面，降低了界面电阻。
基于此，改性后的D正极材料在4.4 V的高截止电压下可以稳定循环140圈，容量保持率高达92.2%。
该文章发表在国际顶级期刊Advaerials上，在科研界造成了不小的轰动。
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第八百三十二章：九州影响力(4/9)