为了摆在全产业面前的一道难关。
光刻机的光源就相当于刻刀，要雕刻的更精细，刀尖就得锋利，而当刀尖技术卡住了，也意味着芯片制造技术面临瓶颈。
以尼康为代表的公司主张采用157nm的f2激光，继续研究光源技术。
米国的一些公司则是押注更激进的极紫外技术，也就是后世赫赫有名的euv光刻，试图直接用十几纳米的极紫外光来做光源。
但是两者的需要克服的障碍都很多，进程非常慢。
前一世的2002年，鬼才林本健横空出世，他在一次交流会上，首次提出“沉浸式光刻”方案。
他的理论听起来很简单，就是利用水会影响光的折射率这一高中知识，在透镜和硅片之间加一层水，这样原有的193nm激光经过折射，不就直接越过了157nm的瓶颈，降低到了132nm吗？
随后，林本健带着他的沉浸式光刻方案前往米国、岛国、德国等地，游说各家半导体巨头，但都吃了闭门羹。
在这些巨头门看来，这只是理想情况，在精密的机器中加水构建浸润环境，既要考虑实际性能，又要担心污染，如果在这种“替代方案”花费精力，耽误了光源的研究，就有可能被对手反超。
因为林本健的这个想法太过简单或者说太过理想化，而且等于否定了其它巨头正在走的技术路线，遭到了各大半导体巨头的集体拒绝，而且一度给台积电施压制止林本健到处乱窜搅局。
第343章 有分量！(2/5)